SI5515DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI5515DC-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Leistung - max | 1.1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A, 3A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | SI5515 |
SI5515DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI5515DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI5515DC-T1 VISHAY
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
NETSYNC LOW-PHASE-NOISE JITTER-A
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
SI5517DU-T1-GE3DKR-ND SILI
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
NETSYNC LOW-PHASE-NOISE JITTER-A
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SI5515DC 98K
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MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
2024/01/30
2024/05/17
2024/01/20
2024/04/14
SI5515DC-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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